Будущее без дефицита: исследовательский центр imec разрабатывает замену оперативной и флеш-памяти для систем искусственного интеллекта

Стремительное развитие технологий искусственного интеллекта привело к серьезному дефициту полупроводниковой памяти. В ответ на этот вызов европейский исследовательский центр imec представил перспективные разработки в области сегнетоэлектрической памяти (FeRAM), которые в будущем могут заменить привычные стандарты DRAM и NAND.

Кризис поставок и новые требования дата-центров

Бум технологий искусственного интеллекта кардинально изменил рынок аппаратного обеспечения. Основной удар пришелся на индустрию оперативной памяти (DRAM) и твердотельных накопителей (NAND). Крупнейшие технологические гиганты ежегодно тратят миллиарды долларов на оснащение дата-центров, из-за чего потребительский сегмент сталкивается с дефицитом и ростом цен. По оценкам аналитиков, в 2026 году центры обработки данных потребляют около 70% всей производимой в мире памяти, что спровоцировало масштабный кризис поставок.

Производители микросхем, включая компанию Micron, предупреждают, что стабилизации ситуации в потребительском секторе не стоит ждать раньше 2028 года. В этих условиях индустрии необходим технологический прорыв — более дешевая, быстрая и энергоэффективная альтернатива существующим архитектурам памяти.

Технологический прорыв от imec

Европейская исследовательская лаборатория imec на совместном симпозиуме IEEE/JSAP по технологиям и схемам СБИС представила два ключевых достижения, которые могут сделать сегнетоэлектрическую память массовой в ближайшее десятилетие:

  • Низковольтный сегнетоэлектрический конденсатор: устройство способно работать при низком напряжении, выдерживать огромное количество циклов перезаписи и надежно удерживать заряд, что делает его жизнеспособной заменой традиционной оперативной памяти DRAM.
  • Вертикальный транзистор: архитектура позволяет создавать сверхплотную структуру хранения данных по аналогии с 3D NAND, а специальная модификация обратного затвора успешно решает существовавшие ранее проблемы с очисткой памяти.

Концепция сегнетоэлектрической оперативной памяти (FeRAM) была предложена еще в 1952 году. Долгое время технология оставалась коммерчески невостребованной из-за сложности реализации, однако колоссальные потребности современных ИИ-систем заставили ученых вернуться к этой идее.

Интеграция в реальный сектор и перспективы

В обзоре отмечается, что imec работает в тесном сотрудничестве с ключевыми игроками ИТ-рынка. Результаты исследований передаются сотням партнеров, среди которых такие гиганты, как Nvidia, ASML, TSMC, Intel, Samsung, Micron, Qualcomm, AMD и Apple. Это дает основания полагать, что новые разработки со временем будут интегрированы в коммерческие продукты крупнейших ИТ-корпораций.

По словам директора программы imec Мартена Росмеулена, междисциплинарный подход центра — от материаловедения до передовой трехмерной интеграции — позволяет решать сложнейшие задачи полупроводниковой индустрии. Тем не менее разработчики подчеркивают, что технология все еще находится на стадии лабораторных исследований и концептуального тестирования. Потребуется время, прежде чем новые модули памяти будут готовы к массовому производству и смогут потеснить классические DRAM и флеш-накопители.